2017年11月30日下午，物理与电子工程学院王世卓博士和翟学珍博士在科学校区四教楼503会议室分别做题为“MgO磁性隧道结中界面氧空位调控的热电效应与自旋转矩”和“窄带隙多铁性氧化物的合成及性质研究”的学术报告，我院相关专业老师和学生参加了此次报告。报告会由材料物理系刘德伟主任主持。
王世卓博士简要介绍了磁性隧道结在信息存储方面的研究背景与进展，之后针对MgO基磁性隧道结，详细讨论了微量的界面氧空位缺陷优化热电效应和自旋转矩的物理机制，第一性原理的计算数据解释了一些重要的实验结果，为新型自旋电子学器件的持续研发和实际应用的性能优化提供了一些重要的参数。
翟学珍博士首先介绍了窄带隙多铁氧化物材料的研究意义、研究进展及目前存在的问题。然后结合其在博士阶段的研究工作重点介绍了Bi1-xTbxFeO3薄膜、[K0.5Na0.5NbO3]1-x[BaNi0.5Nb0.5O3-δ]x薄膜、KBiFe2O5薄膜和陶瓷等一系列多铁氧化物材料的相关研究成果。报告深入浅出，脉络清晰，老师和学生反响热烈。
最后，两位博士针对老师和同学们提出的问题进行了讨论和交流。