2016年11月24日，物理与电子工程学院张腊梅博士在科学校区教四楼405教室做题为“III-V族半导体与High-κ氧化物界面的研究”的学术报告，我院相关老师和学生参加了此次报告。
张腊梅博士首先介绍了III-V族半导体与High-κ氧化物界面结构的应用前景、特点以及存在的问题，然后就如何改善界面质量提出了一些钝化方法，重点介绍了使用不同元素In和Al进行替代和填隙掺杂对III-V族半导体与High-κ氧化物界面质量的影响，特别是对界面成键情况、能带台阶和态密度的研究结果进行了分析，并讨论了元素钝化对界面质量改善的机理。
张腊梅博士就III-V族半导体与High-κ氧化物界面的一些理论研究和实验制备问题与老师们进行了讨论和交流。