应我校物理与电子工程学院邀请,武汉大学物理科学与技术学院博士生导师陈志权教授于1月24日-26日对我校进行学术访问,在此期间对我院新进设备多普勒的安装、调试及操作规程进行了详细的指导并帮助解决了符合多普勒展宽技术中解谱分析方面遇到的诸多问题。同时陈教授还专门抽出时间与我院教师就国家自然科学基金申请经验进行了交流,对于基金的选题、写作技巧等进行了指导。
访问期间,陈志权教授参观了我院材料物理实验室及正电子湮没技术实验平台,并与相关教师进行了深入的讨论与交流。陈教授高度评价了我院的科研条件和在正电子领域取得的研究成果,表示将进一步加强双方在正电子方面的合作。
附:陈志权教授简介:
陈志权,男,教授,博士生导师。长期从事正电子湮没谱学与材料微观结构方面的研究,先后在Applied Physics Letters, Physical Review B, Journal of Applied Physics等著名杂志发表论文100余篇,累计被他人引用1000余次,单篇被他引次数达100余次。出版学术专著《应用正电子谱学》(第二作者,完成其中的第2、3、8章内容和第4章部分内容)。协助举办第九届国际正电子与正电子束化学会议并负责编辑“Positron and Positronium Chemistry”,已由Trans Tech Publication 出版。2015年9月举办第17届国际正电子湮没谱学会议,参会规模达200余人,其中国外代表100人。主持国家自然科学基金,国家教育部青年教师骨干基金,国家重点基础研究计划(973预研项目)、湖北省青年杰出人才基金、湖北省自然科学基金等多项基金。现任国际正电子湮没顾问委员会委员(中国仅一人),中国核物理学会理事,全国高等学校电磁学研究会常务理事。
物理与电子工程学院
科技处
2016.01.28